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光催化凈化技術主要是利用光催化劑二氧化欽(T'02)吸收外界輻射的光能,使其直接轉變為化學能。當能量大于Ti02禁帶寬度的光照射半導體時,光激發電子躍遷到導帶,形成導帶電子(e-),同時在價帶留下空穴階(h+)。由于半導體能帶的不連續性,電子和空穴的壽命較長,它們能夠在電場作用下或通過擴散的方式運動,與吸附在半導體催化劑粒子表面上的物質發生氧化還原反應,或者被表面晶格缺陷俘獲??昭ê碗娮釉诖呋瘎┝W觾炔炕虮砻嬉材苤苯訌秃?,空穴能夠同吸附在催化劑粒子表面的月口一或HZO發生作用生成經基自由基HO ", HO.是一種活性很高的粒子,能夠無選擇的氧化多種有機物并使之礦化。
由于光催化還屬于一種新興的技術,有很多因素還需要額外考慮,諸如納米光催化劑的制備技術、納米光催化劑的高活性和高壽命技術、納米光催化劑的固載化技術和納米光催化劑反應的設計技術,這些因素的實現勢必會使得凈化器價格攀升,從而影響推廣。然而該技術Z大的不足在于,從利用太陽光效率的角度看,半導體的光吸收波長范圍狹窄,主要在紫外區,利用太陽光的比例低:光生載流子的復合率很高,導致量子效率較低。